出國期間

2010-04-15 至 2010-04-24

前往地區

  • 美國

出國人數

共 2 位

基本資料
系統識別號 C09901225
主題分類 科學技術
施政分類 國家發展及科技
計畫名稱 參加53屆國際真空鍍膜研討會並發表論文及參訪相關電漿鍍膜機構
報告名稱 赴美國參加SVC真空鍍膜研討會發表論文
電子全文檔
報告日期 2010-05-26
報告書頁數 35
其他資料
出國期間 2010-04-15 至 2010-04-24
前往地區
  1. 美國
參訪機關 SVC真空鍍膜研討會訓練課程
出國類別 其他
關鍵詞 SVC真空鍍膜研討會,高功率脈衝磁控濺鍍,可撓式鍍膜技術
計畫主辦機關資訊
計畫主辦機關 行政院原子能委員會核能研究所
出國人員
姓名 服務機關 服務單位 職稱 官職等
吳錦裕 行政院原子能委員會核能研究所 物理組 副研究員 簡任
梁文龍 行政院原子能委員會核能研究所 物理組 副工程師 薦任
報告內容摘要
本報告內容為赴美國參加第53屆SVC真空鍍膜國際研討會,此研討會所涵蓋的鍍膜領域相當完整,由傳統的磨潤裝飾性的硬膜,延伸至光電半導體相關材料的鍍膜。本所目前所發的高功率脈衝磁控濺鍍技術已相當成熟,但國內投入相關研究的單位仍寥寥可數,此次藉由參與其中高功率脈衝磁控濺鍍領域之海報論文發表,以及相關課程的安排下,來觀察國外在此技術目前研發現況,並與各界先進能有技術交流,以期未來能將高功率脈衝磁控濺鍍技術應用到更多不同的鍍膜領域,並且提供更優良的技轉服務。另外在半導體光電材料鍍膜相關議題與課程的安排中,有相當多的單位投入透明導電膜製程技術的研究,對於本組目前在可撓式薄膜太陽電池的發展,能夠提供一些最新製程技術做為參考。而廠商參展部分也包含了目前電漿電源及太陽電池製程設備的發展,能提供我們國際上相關產業的發展趨勢。
前往原始報告頁面:http://report.nat.gov.tw/ReportFront/report_detail.jspx?sysId=C09901225
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