C09007236-研習HVPE製作GaN基板技術

出國期間

2001-10-07 至 2001-11-08

前往地區

德國

出國人數

共 1 位

基本資料
系統識別號	C09007236
主題分類	公共工程
施政分類	工程管理
計畫名稱	研習HVPE製作GaN基板技術
報告名稱	研習HVPE製作GaN基板技術
電子全文檔	C09007236_1.pdf
報告日期	2002-01-18
報告書頁數	13

其他資料
出國期間	2001-10-07 至 2001-11-08
前往地區	德國
參訪機關
出國類別	實習
關鍵詞	GaN,HVPE,氮化鎵,氣相磊晶成長法

計畫主辦機關資訊

計畫主辦機關

經濟部

出國人員

姓名	服務機關	服務單位	職稱	官職等
許榮宗	經濟部	工研院光電所	經理	其他

報告內容摘要
本次研習主要於烏爾姆大學了解Aixtron公司所生產的單片式HVPE系統生長GaN厚膜之研究情形,目前其GaN生長速度可達70um/h,且因為試片可旋轉,膜厚均勻度良好,未來用於GaN基板之可行性頗高。然而,烏爾姆大學所擁有之GaN生長技術離生產可用之技術仍遠,一旦GaN厚度超過20um後,內部容易產生裂痕,目前仍無法消除之。雖然他們開始開發ZnObufferlayer技術,但是還屬於初步階段,未來還值得觀察。由於Aixtron於VPE相關之量產型機器有豐富的經驗,未來有關GaN基板等相關計畫若能與他們合作必然有加速之效果。
前往原始報告頁面：http://report.nat.gov.tw/ReportFront/report_detail.jspx?sysId=C09007236

報告內容摘要

本次研習主要於烏爾姆大學了解Aixtron公司所生產的單片式HVPE系統生長GaN厚膜之研究情形,目前其GaN生長速度可達70um/h,且因為試片可旋轉,膜厚均勻度良好,未來用於GaN基板之可行性頗高。然而,烏爾姆大學所擁有之GaN生長技術離生產可用之技術仍遠,一旦GaN厚度超過20um後,內部容易產生裂痕,目前仍無法消除之。雖然他們開始開發ZnObufferlayer技術,但是還屬於初步階段,未來還值得觀察。由於Aixtron於VPE相關之量產型機器有豐富的經驗,未來有關GaN基板等相關計畫若能與他們合作必然有加速之效果。

前往原始報告頁面：http://report.nat.gov.tw/ReportFront/report_detail.jspx?sysId=C09007236