出國期間

2011-05-21 至 2011-05-29

前往地區

  • 捷克

出國人數

共 1 位

基本資料
系統識別號 C10003509
主題分類 科學技術
施政分類 補助專題研究計畫
計畫名稱 第16屆層狀結構與差層材料國際會議
報告名稱 第16屆層狀結構與差層材料國際會議心得
電子全文檔
報告日期 2011-07-14
報告書頁數 12
其他資料
出國期間 2011-05-21 至 2011-05-29
前往地區
  1. 捷克
參訪機關 本次會議的會議地點位於布拉格市郊區的會議/飯店進行。大會並無安排任何機關單位之參訪行程。
出國類別 其他
關鍵詞 材料,氫氧化物,布拉格,奈米結構,插層
計畫主辦機關資訊
計畫主辦機關 國立中興大學
出國人員
姓名 服務機關 服務單位 職稱 官職等
汪俊延 國立中興大學 材料科學與工程學系 教授 教師
報告內容摘要
ISIC16為國際上在層狀結構材料與層狀間原子插層方法之重要國際會議;於捷克首都布拉格舉行。與會學者遍佈世界;但主要以歐洲學者、中國大陸學者及來自韓國的學者為主。共有五篇論文來自台灣,而本人實驗室貢獻兩篇論文。會議之議程共發表250篇論文。論文研究主題共分為三大部分,分別是Li電池的Li離子遷入與遷出研究,新的Li電池材料開發;第二主題為目前最熱門的石墨烯薄膜材料;第三個主題與本人此次發表的論文有關,即為層狀雙層氫氧化物的陰離子插層研究與該材料的新製備法。此次會議議程中,感受到中國大陸研究者的積極與努力以及韓國學者在此領域已耕耘20幾年,成果豐碩。
前往原始報告頁面:http://report.nat.gov.tw/ReportFront/report_detail.jspx?sysId=C10003509
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