出國期間

2012-09-23 至 2012-09-28

前往地區

  • 日本

出國人數

共 1 位

基本資料
系統識別號 C10104133
主題分類 科學技術
施政分類 科技合作
計畫名稱 CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫-國際分子束磊晶會議
報告名稱 CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫-國際分子束磊晶會議出國報告
電子全文檔
報告日期 2012-10-26
報告書頁數 30
其他資料
出國期間 2012-09-23 至 2012-09-28
前往地區
  1. 日本
參訪機關 日本應用物理協會
出國類別 其他
關鍵詞 分子束磊晶,銅銦鎵硒,異質接面
計畫主辦機關資訊
計畫主辦機關 國防部軍備局中山科學研究院
出國人員
姓名 服務機關 服務單位 職稱 官職等
莊豪偉 國防部軍備局中山科學研究院 聘用技士 其他
報告內容摘要
第17屆國際分子束磊晶會議在2012年9月23至9月28日於日本奈良市的新公會堂舉行,本會議為目前國際上分子束磊晶內容最豐富,技術最先進的研討會,研討主題包含了分子束磊晶成長、異質接面及奈米結構磊晶的原理、技術與應用等。藉由參加本研討會,除了可精進本院現有三五族化合物的成長技術外,亦可拓展分子束磊晶其他方面的應用,包含銅銦鎵硒薄膜、各種氧化物、量子點技術與各種電子光電元件的磊晶,對於本院後續建案與磊晶技術發展有極大助益。
前往原始報告頁面:http://report.nat.gov.tw/ReportFront/report_detail.jspx?sysId=C10104133
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