C10104685-2012第八屆亞洲鐵電會議(The8thAsianMeetingonFerroelectrics)

出國期間

2012-12-10 至 2012-12-14

前往地區

泰國

出國人數

共 1 位

基本資料
系統識別號	C10104685
主題分類	科學技術
施政分類	國外研究、考察及國際會議
計畫名稱	參加第八屆亞洲鐡電會議
報告名稱	2012第八屆亞洲鐵電會議(The8thAsianMeetingonFerroelectrics)
電子全文檔	C10104685_1.pdf
報告日期	2012-12-21
報告書頁數	3

其他資料
出國期間	2012-12-10 至 2012-12-14
前往地區	泰國
參訪機關	泰國芭提雅阿馬里蘭花海濱酒店(AmariOrchidHotelPattaya)
出國類別	其他
關鍵詞	泰國,芭達雅,第八屆亞洲鐵電會議

計畫主辦機關資訊

計畫主辦機關

國立高雄應用科技大學

出國人員

姓名	服務機關	服務單位	職稱	官職等
蔡岳穎	國立高雄應用科技大學		研究生	其他

報告內容摘要
學生前往泰國芭達雅參加2012第八屆亞洲鐵電會議並發表論文,此會議所探討之主軸為各種鐵電相關電子領域和應用材料領域,為亞洲地區之重要會議,且有許多來自世界各國的專家學者參加並發表其研究成果互相進行學術交流,此會議亦有邀請一些國際學者來演講。學生於此會議發表一篇論文,題目為「銅摻雜二氧化矽薄膜之低電阻狀態記憶失效機制研究(RetentionFailureMechanismforLow-Resistance-StatesofCu-dopedSiO2ResistiveMemory)」,這篇論文主要說明活化能、不同熱退火時間、不同溫度下對低電阻狀態的記憶時間的影響,且透過和各國學者的心得交流,使學生獲得了許多相關領域的新知識。
前往原始報告頁面：http://report.nat.gov.tw/ReportFront/report_detail.jspx?sysId=C10104685

報告內容摘要

學生前往泰國芭達雅參加2012第八屆亞洲鐵電會議並發表論文,此會議所探討之主軸為各種鐵電相關電子領域和應用材料領域,為亞洲地區之重要會議,且有許多來自世界各國的專家學者參加並發表其研究成果互相進行學術交流,此會議亦有邀請一些國際學者來演講。學生於此會議發表一篇論文,題目為「銅摻雜二氧化矽薄膜之低電阻狀態記憶失效機制研究(RetentionFailureMechanismforLow-Resistance-StatesofCu-dopedSiO2ResistiveMemory)」,這篇論文主要說明活化能、不同熱退火時間、不同溫度下對低電阻狀態的記憶時間的影響,且透過和各國學者的心得交流,使學生獲得了許多相關領域的新知識。

前往原始報告頁面：http://report.nat.gov.tw/ReportFront/report_detail.jspx?sysId=C10104685