出國期間

2002-05-10 至 2002-05-18

前往地區

  • 瑞典

出國人數

共 1 位

基本資料
系統識別號 C09103088
主題分類 電信通訊
施政分類 電信
計畫名稱 赴瑞典參加IPRM’02研討會並發表論文
報告名稱 赴瑞典參加IPRM’02研討會並發表論文
報告日期 2002-06-18
報告書頁數 0
其他資料
出國期間 2002-05-10 至 2002-05-18
前往地區
  1. 瑞典
參訪機關
出國類別 其他
關鍵詞 磷化銦,瑞典,HEMT,HBT,MOCVD
計畫主辦機關資訊
計畫主辦機關 中華電信股份有限公司電信研究所
出國人員
姓名 服務機關 服務單位 職稱 官職等
葉念慈 中華電信股份有限公司電信研究所 前瞻技術研究室 助理研究員 其他
報告內容摘要
第十四屆國際磷化銦與相關材料會議是在瑞典國斯德哥爾摩市舉行,此次參加會議主要是本人有一篇論文發表,以及聆聽此領域之重要研究成果與未來之趨勢探討。在開場的全體出席會議中,邀請到日本東京大學的Sasaki教授談論有關奈米量子結構的發展與現況、D.C.Streit博士說明在Velocium公司最近發展出超過200GHzHEMT與HBT的應用以及Alcatel的MarcoErman博士說明磷化銦基板材料在未來光網路上的應用。這些演講均指出磷化銦相關材料在未來高速網路(有線、無線)中扮演關鍵性角色,並已有很多元件應用在現實生活中。會中區分很多議題,包含Lasers(VCSEL,longwave-lengthlaser),HBTs,HEMTs,quantumdotphysicsanddevices,Novelmaterials,Naro-fabrication,InGaAsNandrelatedcomponents,processingandpackage等等議題,內容非常的精采,幾乎包含這些領域最頂尖的科學成果。在會中本人以ImprovedperformanceofInGaAsN/GaAslaserswithlowtemperaturegrownquantumwellbyMOCVD為題,以壁報形式發表,因現在這個題目非常熱門,我們又是會中唯一以MOCVD成長出雷射元件的研究單位,所以非常多人來詢問成長條件與操作機制。大會並有安排市區觀光與諾貝爾獎頒獎會場的歡迎茶會。此次非常感謝公司能給我這個機會參加IPRM’02下次希望有更突出的成果可以參加IPRM’03。
前往原始報告頁面:http://report.nat.gov.tw/ReportFront/report_detail.jspx?sysId=C09103088
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