出國期間

2012-07-04 至 2012-07-06

前往地區

  • 新加坡

出國人數

共 1 位

基本資料
系統識別號 C10103057
主題分類 教育文化
施政分類 國家發展及科技
計畫名稱 2012年先進材料年輕研究學者國際研討會
報告名稱 2012年先進材料年輕研究學者國際研討會
電子全文檔
報告日期 2012-07-29
報告書頁數 3
其他資料
出國期間 2012-07-04 至 2012-07-06
前往地區
  1. 新加坡
參訪機關
出國類別 其他
關鍵詞 氮化銦鎵發光二極體,圖案化藍寶石基板
計畫主辦機關資訊
計畫主辦機關 國立中興大學
出國人員
姓名 服務機關 服務單位 職稱 官職等
林佳鋒 國立中興大學 材料科學與工程學系 教授 其他
報告內容摘要
本次參加在新加坡舉辦「2012年先進材料年輕研究學者國際研討會」,自民國101年7月1日至民國101年7月6日為期六天學術研討會,會議地點在新加坡MATRIXBuilding舉行,此會議是由國際材料研究協會(IUMRS)主辦,發啟一個全球料網路(GlobalMaterialsNetwork)針對年輕研究學者舉行之研討會,本次參與會議期間為7/4~7/6,於7/4中午參與會議,這次會議於7/5早上10:30-12:25參與OM4III-VSemiconductorsandApplications場次議程,由Dr.SohChewBeng,於11:20~11:40以邀請演講方式(InvitedSpeaker)發表研究成果,發表題目為:「OpticalPropertiesofanInGaNLightEmittingDiodeGrownonaPyramid-shapedPatternSapphireSubstrate」,論文重點:報告將氮化銦鎵發光二極體磊晶成長於角錐截角與角尖錐圖案化藍寶石基板,藉由TEM分析微結構、缺陷分析與側向磊晶成長抑制缺線密度,利用顯微螢光光譜分析內部量子效率與壓電場特性,探討成長於角尖錐圖案化藍寶石基板之高效率氮化銦鎵發光二極體之效率提升成因。與會學者在會場對圖案化基板磊晶技術、光譜分析技術、活性層壓電場量測技術提出相關問題,對磊晶與量測技術相當感興趣。
前往原始報告頁面:http://report.nat.gov.tw/ReportFront/report_detail.jspx?sysId=C10103057
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