2012-12-26 至 2012-12-31
共 2 位
| 系統識別號 | C10104768 |
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| 主題分類 | 教育文化 |
| 施政分類 | 教育及體育 |
| 計畫名稱 | 氟離子電漿植入技術應用在氮化鎵元件製作 |
| 報告名稱 | 氟離子電漿植入技術應用在氮化鎵元件製作 |
| 電子全文檔 | |
| 報告日期 | 2013-03-03 |
| 報告書頁數 | 4 |
| 出國期間 | 2012-12-26 至 2012-12-31 |
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| 前往地區 |
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| 參訪機關 | 香港科技大學電子與計算機工程學系 |
| 出國類別 | 其他 |
| 關鍵詞 | 氟離子電漿,太陽能,三五族半導體 |
| 計畫主辦機關 | 國立交通大學 | |||||||||||||||
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| 出國人員 |
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| 交通大學材料所化合物半導體實驗室（以下簡稱CSDLab）,與香港科技大學電子與計算機工程學系陳敬教授實驗室為長期合作夥伴,陳敬教授實驗室擁有三五族半導體的尖端技術,特別是在氮化鎵元件領域具有相當程度的技術領先地位,其所發明之氟離子電漿製程,為世界最早提出此構想之學者,並已建立此方面之製程。這次陳敬教授邀請張翼教授指導學生(吳佳勳、林彥谷)於101年12月26日至101年12月31日,前往香港科大學習氟離子電漿製程,並與其實驗室學生開會討論GaN-based太陽能電池相關尖端技術,共同開發次世代三五族半導體製程技術。 |
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