出國期間

2002-11-03 至 2002-11-13

前往地區

  • 美國

出國人數

共 1 位

基本資料
系統識別號 C09200580
主題分類 公共工程
施政分類 工程管理
計畫名稱 赴美參加國際薄膜研討會暨訪察奈米儀器發展現況出國報告書
報告名稱 赴美參加國際薄膜研討會暨訪察奈米儀器發展現況出國報告書
電子全文檔
報告日期 2003-01-30
報告書頁數 38
其他資料
出國期間 2002-11-03 至 2002-11-13
前往地區
  1. 美國
參訪機關
出國類別 其他
關鍵詞
計畫主辦機關資訊
計畫主辦機關 行政院國家科學委員會精密儀器發展中心
出國人員
姓名 服務機關 服務單位 職稱 官職等
高健薰 行政院國家科學委員會精密儀器發展中心 研究發展組 副研究員 聘、雇
報告內容摘要
國科會精密儀器發展中心指派本人於美國真空學會舉辦之第四十九屆國際研討會發表新近開發完成之孔口法定容式高真空檢測系統之論文,藉此宣揚中心在真空檢測技術領域之技術能力。並藉著參加真空研討會廣泛蒐集國際上在真空、鍍膜、微機電系統、奈米材料、奈米檢測、生醫檢測領域之最新研究成果,瞭解先進國家在是類學門之發展趨勢。於研討會附帶舉辦之真空儀器展覽會中亦蒐集參展儀器資料,以求迅速掌握國際真空相關領域儀器之發展現況及各製造商之研發趨勢。此外,經由參訪電子顯微鏡、聚焦式離子束直寫系統製造廠商FEI公司,實地考察這些奈米檢測與加工儀器設備的具體性能及在奈米科技領域的應用狀況。而拜訪WolfeEngineering公司,除深入瞭解半導體廠在氣體傳輸控制系統的發展狀況外,特別與之洽談合作發展微質量流率控制儀之流率檢測技術事宜,以加速中心國際化之腳步。
前往原始報告頁面:http://report.nat.gov.tw/ReportFront/report_detail.jspx?sysId=C09200580
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