| 因通訊市場的景氣持續低迷,今年的IPRM顯得相當冷清。多數與會者對於今年的景氣抱持著悲觀的看法,期待來年有較好的表現。今年約有250人與會,相對於去年在斯得哥爾摩超過400人,以及前年在奈良的600人,規模似乎正在持續遞減中。這次有61篇論文來自亞洲,其中46篇來自日本,2篇來自台灣(台大與本所)。50篇來自歐洲,其中14篇來自法國。美國則有40篇,加拿大和以色列各1篇。就技術面來說,還是朝著更高頻方面發展,基本上,這是InP系列研究的利基。有好些論文是有關InP/GaAsSb/InP雙HBT結構。同時也有傳統GaInP/GaAs結構的研究。比較特別的是,有篇法國的論文談到了利用相同的長晶條件來成長磷化物和砷化物,以利成長時的切換。在雷射方面,1.3微米和1.55微米都有相當不錯的進展。Infineon的HenningReichert在大會報告了他們量產GaInNAs量子井雷射的工作。當然,其他有關GaInNAs的論文是少不了的。在GaInNAsSb方面,雖然談不上什麼重大進步,倒是有一篇非常有趣出自史丹佛JimHarris等人的文章。極少量的Sb被加入了成長InGaNAs過程,這些Sb在表面上會發生媒介的效用,進而改善GalnNAs的磊晶品質,這對於1.55微米雷射有相當的助益。Harris等人同時也研究了GaInNAs的原子排列,並宣稱他們在這方面的研究有相當大的進展。 |