出國期間

2006-10-19 至 2006-11-01

前往地區

  • 美國

出國人數

共 2 位

基本資料
系統識別號 C09502931
主題分類 科學技術
施政分類 國家發展及科技
計畫名稱 參加電漿技術應用研討會並參訪相關實驗室
報告名稱 参加捲式鍍膜國際技術研討會及参訪相關電漿實驗室
電子全文檔
報告日期 2006-12-12
報告書頁數 20
其他資料
出國期間 2006-10-19 至 2006-11-01
前往地區
  1. 美國
參訪機關 UCLA大學電機工程系Prof.FrancisChen的低溫電漿實驗室,第20屆捲式鍍膜國際秋季技術研討會,西南研究所離子表面工程部門,新墨西哥州SantaFeapjet公司
出國類別 其他
關鍵詞 捲揚式鍍膜技術研討會,離子表面工程,大氣壓噴射式電漿源
計畫主辦機關資訊
計畫主辦機關 行政院原子能委員會核能研究所
出國人員
姓名 服務機關 服務單位 職稱 官職等
艾啟峰 行政院原子能委員會核能研究所 物理組 研究員 其他
謝政昌 行政院原子能委員會核能研究所 物理組 助理研究員 其他
報告內容摘要
本報告敘述赴美國参加由美國AIMCAL工業協會於雷洛城主辦的第20屆國際捲揚式鍍膜技術研討會,以便瞭解國際捲對捲式鍍膜及設備技術研究之最新發展,包括真空捲揚式鍍膜技術、捲式壓膜粘著技術、捲式塑膠及紙張金屬化技術及可繞式電子電路板及顯示器技術等領域研究。其次並参訪加州大學洛杉磯分校(UCLA)低溫電漿實驗室,實地了解所開發之大面積高密度電漿源及實際運轉情形及討論國際合作之可行性。另也参訪在德州之西南研究所(SwRI)離子表面工程部門,並舉行討論會由艾啟峰博士受邀演講本所電漿工程開發應用成效,再洽談合作及派遣年青研究助理前往受訓與建立國際合作之可行性等。最後参訪在新墨面西哥州之Apjet公司,討論觀摩大氣壓噴射式電漿源,以加速所內大氣電漿源研究及其應用製程之開發。
前往原始報告頁面:http://report.nat.gov.tw/ReportFront/report_detail.jspx?sysId=C09502931
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